%0 Journal Article
%T 熔融硅液相浸渍法制备c/c-sic复合材料
%A 王道岭　
%A 汤素芳　
%A 邓景屹　
%A 刘文川
%J 材料研究学报
%D 2007
%X ？采用熔融硅液相浸渍法制备了c/c-sic复合材料,反应生成的sic主要分布在层间孔和束间孔碳基体表面,少量分布在束内孔.1600℃渗硅2h,硅化深度约为2～4μm.由于液态硅与碳之间的润湿性很好,在碳基体表面形成了连续的sic层,局部有粗大的多面碳化硅颗粒生成;讨论了细晶粒连续sic层和sic粗晶粒形成机理.由于sic的加入,材料的抗氧化性能得到明显改善.
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1990.shtml