%0 Journal Article
%T 金属钨纳米线阵列的制备
%A 高程
%A 贺跃辉？
%A 王世良
%J 材料研究学报
%D 2008
%X ？用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(sem)、透射电子显微镜(tem)和x--ray衍射(xrd)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构,直径约为150nm,长度为10--30？μm.
%K 金属材料
%K 金属钨
%K 单晶
%K 纳米线
%K 阵列
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract8441.shtml