%0 Journal Article
%T fe/si薄膜中硅化物的形成和氧化
%A 张晋敏
%A 谢泉
%A 梁艳
%A 曾武贤
%J 材料研究学报
%D 2008
%X ？用磁控溅射方法制备fe/si薄膜,采用卢瑟福背散射(rbs)技术研究了退火过程中的相变过程和氧化.结果表明:未退火的fe/si薄膜界面清晰,873k退火后,界面附近fe、si原子开始相互扩散,973k退火后富金属相fe1+xsi形成,而1073k退火后形成中间相fesi,当温度增加至1273k后所有硅化物完全转变为富硅相fesi$_{2}$,即随退火温度的升高,fe、si原子间扩散增强,从而形成不同化学计量比的fe--si化合物,且薄膜中易迁移原子种类由fe变为si.同时,质子束rbs和xrd测量结果显示,在未退火及低温退火的样品中,薄膜有氧化现象,随退火温度增加,由于高温下金属氧化物被还原并逐渐挥发,样品中氧的含量逐渐减少最后完全消失.
%K 无机非金属材料
%K 半导体材料
%K 原子扩散
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1048.shtml