%0 Journal Article
%T 退火温度对铜铟镓硒薄膜电学性能的影响
%A 欧阳良琦
%A 赵明
%A 庄大明
%A 孙汝军
%A 郭力
%A 李晓龙
%A 曹明杰
%J 材料研究学报
%D 2014
%X ？使用磁控溅射铜铟镓硒(cuin1-xgaxse2,cigs)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响。结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在cuse低电阻相,cigs薄膜的载流子浓度在1017-1019cm-3,迁移率在0.1cm2v-1s-1左右,不适于作为太阳电池的吸收层;当退火温度高于410℃时薄膜中不存在cuse相,薄膜具有10cm2v-1s-1左右的较高迁移率,载流子浓度在1014-1017cm-3;退火温度高于410℃时,随着退火温度的升高薄膜晶粒长大,结晶性增强,此时薄膜内部缺陷减少,载流子浓度升高;对于用作太阳电池吸收层的cigs,从载流子浓度及迁移率的角度评判,合适的退火温度区间为450-550℃。
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract22827.shtml