%0 Journal Article
%T b3+,zn2+掺杂与sio2薄膜驻极体的改性
%A 黄志强
%A 徐政
%A 方明豹
%A 俞建群
%J 材料研究学报
%D 2000
%X ？用粉体制备和高温熔凝工艺在n型单晶硅基片上制备了非晶态sio2--zno--b2o3复合膜驻极体,实现对sio2薄膜驻极体的改性.恒栅压电晕充电、等温表面电位衰减及热刺激放电(thermallystimulateddischarged,tsd)实验表明,b3+、zn2+的掺杂对sio2薄膜驻极体的电荷动态特性有较大影响:tsd放电电流峰稳定于t=238℃处,峰位不随充电温度和充电电压变化;正、负tsd电流谱关于温度轴对称.用离子掺杂可以有效地改变sio2薄膜驻极体内的微观网络结构,影响其电荷贮存性能.
%K 离子掺杂
%K 二氧化硅
%K 复合膜
%K 驻极体
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1645.shtml