%0 Journal Article
%T 用微波等离子体cvd制备c3n4薄膜
%A 张永平(
%A )
%A 顾有松()
%A 常香荣()
%A 田中卓()
%A 时东霞()
%A 张秀芳()
%A 袁磊()
%J 材料研究学报
%D 2000
%X ？采用微波等离子体化学气相沉积法(mpcvd),使用高纯n2(99.999%)和ch4(99.9%)作反应气体,在多晶pt(99.99%)基片上沉积c3n4薄膜.x射线能谱(edx)分析结果表明n/c原子比为1.0-1.4,接近c3n4的化学比;x射线衍射谱(xrd)说明薄膜主要由β--和α--c3n4组成;x射线光电子谱(xps)、傅立叶变换红外谱(ft--ir)和喇曼(raman)谱说明在c3n4薄膜中存在c--n键.
%K 微波等离子体化学气相沉积
%K β-c3n4
%K 薄膜
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1573.shtml