%0 Journal Article
%T 以zn(nh4)3cl5为输运剂气相生长znse单晶
%A 李焕勇
%A 介万奇
%J 材料研究学报
%D 2003
%X ？以化合物zn(nh4)3cl5为气相输运剂，znse多晶为原料，用化学气相输运技术（cvt）在封闭石英管中生长出直径为9mm、长度为25mm的zn1+0.031se单晶。晶体生长区的温度为898~915℃，温度梯度为1.5℃？cm-1，生长周期为21d。晶体生长端由{111}和{100}单形包围。用ro-xrd技术研究了晶体的结晶质量，znse(111)的ro-xrd谱的fwhm为24sec。光致发光特性研究表明，zn1+0.031se单zn1+0.031se晶体的pl谱由fx(439nm)和bbt(418nm)等发光峰组成，晶体的短波吸收限位于465nm处，腐蚀点密度为（5～7）×104cm-2。化合物zn(nh4)3cl5具有较高的热稳定性，是一种适合气相生长znse单晶的新型输运剂。
%K 无机非金属材料
%K znse体单晶
%K 化学气相输运
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1157.shtml