%0 Journal Article
%T 快速热退火对多层ge量子点晶体质量的影响
%A 魏榕山
%A 丁晓琴
%A 何明华
%J 材料研究学报
%D 2011
%X ？使用超高真空化学气相淀积(uhv/cvd)设备在si衬底上生长多层ge量子点,用双晶x射线衍射(dcxrd)、拉曼光谱(raman)等手段表征在不同条件下快速热退火的ge量子点材料的组分、应力等特性,研究了快速热退火对多层ge量子点晶体质量的影响。结果表明:随着退火温度的升高,量子点中ge的组分下降,量子点应变的弛豫程度加剧。在1000℃退火20s后,量子点材料已经完全弛豫。
%K 无机非金属材料
%K 快速热退火
%K ge量子点
%K 双晶x射线衍射
%K 拉曼光谱
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract19748.shtml