%0 Journal Article
%T 浸泡后多孔硅的结构及光致发光特性
%A 严勇健
%A 吴雪梅
%A 诸葛兰剑
%J 材料研究学报
%D 2004
%X ？用电化学腐蚀方法制备了多孔硅样品,在浸泡液中浸泡使其表层多孔层与样品分离,在样品表面形成了丰富的sio$_{2}$包裹纳米硅颗粒结构,研究了样品的光致发光(pl)特性.结果表明,与剥离前相比,表层多孔层剥离后pl谱的强度约有10倍的增幅,峰位主要在蓝紫光范围内.在300℃干氧中退火后,样品的发光强度下降为退火前的三分之一,随着退火温度的升高,发光强度有所增强.退火前后有不同的发光机理,退火前光激发主要在纳米硅内,然后在二氧化硅层中的发光中心辐射复合;退火后光激发和光辐射都发生在二氧化硅层中.
%K 无机非金属材料
%K 多孔层
%K 光致发光
%K 纳米硅颗
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1137.shtml