%0 Journal Article
%T cesi薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性
%A 程国安
%A 徐松兰
%A 叶敦茹
%A 朱景环
%A 肖志松
%A 曾庆城
%J 材料研究学报
%D 1999
%X ？将能量为45kev的ce离子注入到si单晶片中,研究硅化铈薄膜的离子束合成及其室温光致发光特性.透射电镜观察表明在单晶硅的表面形成厚100nm的ce离子注入层,选区电子衍射和x射线衍射分析表明注入层内形成了cesi2.cesi2的结晶程度随注入剂量的增加而逐渐完整.用远紫外光激发得到了室温蓝紫色pl谱,以红光(650~700nm)激发,则上转换蓝光和紫光发射的效率较高,其发光特性比较稳定.蓝光和紫光受激发射峰的强度随注入剂量的增加而迅速增加.
%K cesi2
%K 离子束合成
%K 光致蓝紫光谱
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1677.shtml