%0 Journal Article
%T 工艺参数对aginsbte薄膜性能的影响
%A 李进延
%A 侯立松
%A 干福熹
%J 材料研究学报
%D 2001
%X ？采用射频磁控溅射工艺,在k9玻璃基片上用ag-in-sb-te合金靶制备了ag8in14sb55te23相变薄膜,将沉积态薄膜在300℃进行了热处理.测量了薄膜的光学性质和静态存储性能,研究了溅射气压和功率对薄膜光学性质和静态存储性能的影响.结果表明,适当的溅射气压和溅射功率可使ag8in14sb55te23相变薄膜具有较大的反射率对比度,从而提高其存储性能.
%K 射频磁控溅射
%K ag8in14sb55te23相变薄膜
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1490.shtml