%0 Journal Article
%T 用pmcz法生长的单晶硅中氧和电阻率的均匀性
%A 张维连
%A 孙军生
%A 张恩怀
%A 李嘉席
%A 吴小双
%A 高树良
%A 胡元庆
%A 刘俊奇
%J 材料研究学报
%D 2001
%X ？用永磁体环形磁场直拉(pmcz)炉代替普通的mcz炉生长了质量较高的单晶硅.在pmcz炉中水平辐射状磁力线均匀分布,可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏.在用pmcz法生长的硅晶体中氧浓度较低,杂质的径向分布均匀性好.简单地讨论了pmcz法控氧优于普通mcz法的机理.
%K 永磁场直拉(pmcz)炉
%K 热对流
%K 氧杂质
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1467.shtml