%0 Journal Article
%T 用电共沉积方法制备ingaas薄膜
%A 王喜莲
%A 李浴春
%A 韩爱珍
%A 高元恺
%A 杨志伟
%J 材料研究学报
%D 2001
%X ？用电共沉积方法制备出4种ingaas薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率.结果表明,inxga1-xas薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其v-i特性是线性的,随着ga含量的减少,发光波长增大.ingaas薄膜的发射光波长为1.3~1.5μm.
%K ingaas薄膜
%K 电共沉积
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1466.shtml