%0 Journal Article
%T 轴向磁场对硅单晶czochralski生长过程的影响
%A 李友荣
%A 余长军
%A 吴双应
%A 彭岚
%J 材料研究学报
%D 2005
%X ？利用有限元方法对炉内的传递过程进行了全局数值模拟,假定熔体和气相中的流动都为准稳态轴对称层流,熔体为不可压缩流体,cz炉外壁温度维持恒定,模拟磁场强度范围为(0~0.3)t,研究了用czochralski(cz)法生长单晶硅轴向磁场对熔体流动和氧传输过程的影响.结果表明:轴向磁场可有效地抑制熔体内的流动,但增大加热器功率和结晶界面处晶体内的轴向温度梯度;对于常规cz炉,轴向磁场可增大结晶界面平均氧浓度,而对于具有气体导板的cz炉,则会减小结晶界面平均氧浓度.
%K 材料科学基础学科
%K 全局分析
%K 有限元方法
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1371.shtml