%0 Journal Article
%T ge组分渐变的si1-x-ygexcy薄膜的制备
%A 李志兵　
%A 王荣华　
%A 韩平　
%A 李向阳　
%A 龚海梅　
%A 施毅　
%A 张荣
%J 材料研究学报
%D 2006
%X ？用化学气相淀积方法在si(100)衬底上外延生长了ge组分最高约0.40的组分渐变的si1-x-ygexcy合金薄膜,研究了生长温度等工艺参数的影响.结果表明,生长温度和c2h4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的c主要以替位式存在.c掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善si1-x-ygexcy薄膜的的晶体质量.组分渐变的si1-x-ygexcy合金薄膜包括由因衬底中si原子扩散至表面与geh4、c2h4反应而生成的si1-x-ygexcy外延层和由si1-x-ygexcy外延层中ge原子向衬底方向扩散而形成的si1-xgex层.
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1904.shtml