%0 Journal Article
%T 硅衬底碳化对异质外延sic薄膜结构的影响
%A 苏剑峰　
%A 郑海务　
%A 林碧霞　
%A 朱俊杰　
%A 傅竹西
%J 材料研究学报
%D 2006
%X ？用lpmocvd方法在p-si(111)衬底上异质外延生长sic,用碳化方法生长出具有单晶结构的3c-sic薄膜,研究了开始碳化温度、丙烷流量和碳化时间对结晶质量的影响.结果表明,在较低的温度开始碳化不利于丙烷的分解,不能形成很好的过渡层;碳化时丙烷流量过大会造成碳污染,碳化时间过长使过渡层的结晶质量降低.最佳的碳化条件为:开始碳化温度1150℃,碳化时间和碳化时丙烷的流量分别为8min和2sccm.
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1919.shtml