%0 Journal Article
%T 薄膜生长基底对fes{2}晶体取向的影响
%A 刘艳辉
%A 孟亮
%A 张秀娟
%J 材料研究学报
%D 2004
%X ？用fe膜硫化法制备了fes$_{2}$薄膜,分析了基底对fes$_{2}$薄膜晶体结构和位向分布的影响.结果表明,改变基底晶体的类型能够在一定程度上控制fes$_{2}$薄膜的晶体位向分布.fes$_{2}$薄膜在si(100)、si(111)和al基底上可获得(200)方向的择优取向,在tio$_{2}$基底上可同时获得(200)及(220)择优取向,非晶玻璃基底对位向分布影响不明显.不同的基底与fe薄膜的界面错配度不同,可改变薄膜晶体位向的分布,导致晶格畸变程度和晶粒尺寸的变化.当基底为非晶结构或界面的错配度较大时,fes$_{2}$晶体的取向分布主要受表面能和晶粒优先生长方向的控制,薄膜具有较小的晶格畸变和较细的晶粒；当基底为晶态并且界面错配度较小时,fes$_{2}$晶体取向的分布除受表面能及晶粒优先生长方向控制外,还受界面应变能的控制,此时薄膜易形成较大的晶格畸变和粗晶粒.
%K 无机非金属材料
%K fes2薄膜
%K fe膜硫化法
%K 晶体
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract1079.shtml