%0 Journal Article
%T 用等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅薄膜
%A 程华
%A 张昕
%A 张广城
%A 刘汝宏
%J 材料研究学报
%D 2010
%X ？以ar+sih4作为反应气体,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ecr--pecvd)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中h含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响。结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600w时达到最大;而结晶度和薄膜中的h含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向。
%K 材料合成与加工工艺
%K ？微晶硅薄膜
%K ar稀释sih4
%K ecr--pecvd
%K 微波功率
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract19216.shtml