%0 Journal Article
%T ba0.32co4sb12-xtex的高压合成及其电学性质
%A 柳洋
%A 任国仲
%A 宿太超
%A 马红安
%A 邓乐
%A 姜一平
%A 郑世钊
%A 林乐静
%A 秦丙克
%A 贾晓鹏
%J 材料研究学报
%D 2010
%X ？在高温高压下合成方钴矿结构热电材料ba0.32co4sb12-xtex(0.1≤x≤0.9),测试了样品的微观结构和室温电学性质。结果表明:ba填充te置换型方钴矿ba0.32co4sb12-xtex为n型半导体;在不同压力下,随着te填充分数的增加,seebeck系数的绝对值和电阻率均呈降低趋势,功率因子显著提高。在1.5gpa、900k条件下合成的ba0.32co4sb11.9te0.1化合物功率因子达到最大值(9.7？μwcm-1k-2)。
%K 无机非金属材料
%K 热电材料
%K 方钴矿
%K 功率因子
%K 高温高压
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract19315.shtml