%0 Journal Article
%T ceo2掺杂对srna0.5bi4.5ti5o18高温无铅压电陶瓷性能的影响
%A 姬万滨
%A 初瑞清
%A 徐志军
%A 郝继功
%A 程仁飞
%J 材料研究学报
%D 2015
%X ？用固相合成法制备srna0.5bi4.5ti5o18+x%(质量分数)ceo2(snbtcx)铋层状无铅压电陶瓷,研究了ceo2掺杂对snbtcx陶瓷微观结构和电性能的影响。结果表明,ceo2掺杂并未改变snbtcx陶瓷的晶体结构,所有样品均为单一的铋层状结构陶瓷;ceo2掺杂没有使snbtcx陶瓷居里温度发生明显变化,居里温度均高于560℃;随着ceo2掺杂量的增加snbtcx陶瓷材料的介电常数减小,但是其介电损耗先增大后减小。当ceo2掺杂量为0.3%(质量分数)时snbtc0.03陶瓷具有最优电性能:tc=567℃,d33=29pc/n,tanδ=0.015,且在500℃退极化处理后,其d33仍保持在22pc/n以上,说明snbtc0.03陶瓷可在高温下应用。
%K 无机非金属材料
%K 高温压电陶瓷
%K 铋层状
%K 压电性能
%K 温度稳定性
%U http://www.cjmr.org/CN/abstract/abstract23446.shtml