%0 Journal Article
%T y2o3掺杂对ta2o5-tio2电容-压敏陶瓷的影响
%A 王天国
%A 邵刚勤
%A 李喜宝
%A 张文俊
%J 武汉理工大学学报
%D 2009
%X ？制备了y2o3-ta2o5\-tio2电容-压敏电阻器材料，对样品进行了xrd和sem分析，测试了其压敏性能、介电常数和晶界势垒特性。结果表明：y2o3对tio2电容-压敏电阻的性能有显著的影响，在1　400℃烧结条件下，摩尔掺量为0.25%y2o3的样品表现出优良的综合电性能，其压敏电压为9.7v/mm，非线性系数为4.5，相对介电常数为8.82×104，这与该样品具有最高的晶界势垒高度相一致。
%K 二氧化钛
%K 〓电容？压敏电阻
%K 〓压敏电压
%K 〓非线性系数
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=31136