%0 Journal Article
%T 铝诱导多晶硅薄膜的制备与微结构研究
%A 徐慢
%J 武汉理工大学学报
%D 2006
%X ？利用pecvd设备在普通玻璃基片上沉积a-si薄膜,采用铝诱导晶化法(aic)在氮气气氛下进行快速退火处理制备出poly-si薄膜。研究了不同的热处理条件对a-si薄膜微观结构、表面形貌的影响,通过xrd、raman、sem等测试手段对薄膜的结构、形貌进行表征。结果表明:铝膜的厚度为1μm时,在450℃下退火10min,薄膜样品开始向poly-si薄膜转变,并且随着退火温度的升高和退火时间的增加,晶化程度加强。
%K 铝诱导晶化
%K 多晶硅薄膜
%K 非晶硅薄膜
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=24952