%0 Journal Article
%T 磁控溅射法制备ceo_2-tio_2紫外吸收薄膜
%A 周学东
%J 武汉理工大学学报
%D 2006
%X ？采用射频磁控溅射在玻璃基片上沉积具有紫外吸收ceo2-tio2混和薄膜。通过制备一系列不同物质的量浓度比的n(ceo2)∶n(tio2)靶材(1.0∶0,0.90∶0.10,0.80∶0.20,0.70∶0.30,0.60∶0.40,0.50∶0.50,0.40∶0.60,0.30∶0.70,0.20∶0.80,0.10∶0.90,0∶1.0),研究其紫外吸收性能最佳的物质的量浓度比。tio2加入ceo2后,改变ceo2的结晶状态并提高uv吸收。采用raman和xps表征薄膜的特性,物质的量浓度比值在n(ceo2)∶n(tio2)=0.5∶0.5,0.6∶0.4时,薄膜为非晶态,并具有高的紫外吸收(98%)和可见光透过率(70%~80%);xps分析表明薄膜存在ce4+,ce3+和ti4+。
%K ceo2-tio2薄膜
%K uv吸收
%K 磁控溅射
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=24756