%0 Journal Article
%T ntdsi材料的微结构研究
%A 周国华
%J 武汉理工大学学报
%D 1990
%X ？ntdsi材料与原始单晶硅相比,其缺陷和位错有所增加,特别是epr缺陷增加显著,电阻率增加20％左右,150(?)？cm以上的电阻率曲线还存在一个较弱的吸收峰值。辐照处理后的ntdsi材料,其点阵常数普遍增大,[111]方向的缺陷明显增多。中照50小时后,局部出现辐照损伤。
%K 缺陷
%K 位错
%K 辐照
%K 点阵常数
%K 电阻率
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=27534