%0 Journal Article
%T fe离子注入al_2o_3陶瓷改变其表面电阻率的研究
%A 李世普
%J 武汉理工大学学报
%D 1990
%X ？本文研究了fe离子注入al_2o_3陶瓷的注入射程、纵向浓度分布和注入层结构,测定了注入层中的载流子浓度和迁移率,讨论了al_2o_3陶瓷注入fe离子其表面层的导电机理。其结论是:注入的fe~(2-)离子进入al_2o_3晶格,替代了al~(3-)离子形成替位杂质。这样注入离子与原有晶格比较呈现一个有效负电荷,形成负电中心。它可以把一个空穴束缚在它的周围,在禁带引入受主能级。
%K al_2o_3陶瓷
%K fe~(2-)离子
%K 表面电阻率
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=27586