%0 Journal Article
%T 正电子湮没技术在zro_2氧敏传感材料研究中的应用
%A 孙淑珍
%J 武汉理工大学学报
%D 1990
%X ？本文通过正电子湮没寿命谱分析了zro_2材料电导率σ与稳定剂含量的关系,研究表明材料中的“有效空位量”是决定σ的关键因素,解释了σ随稳定剂含量的变化规律
%K zro_2氧敏材料
%K 正电子湮没
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=27585