%0 Journal Article
%T 高频电磁屏蔽用ito膜结构与性能分析
%A 李秀荣
%J 武汉理工大学学报
%D 2000
%X ？采用阴极磁控溅射法制备用于电磁屏蔽的ito透明导电膜,方块电阻在5～40ω/□范围内。测试不同方块电阻膜层的电阻率、膜厚、可见光透光度、雾度、对8～18ghz频率范围内电磁波的反射率等性能,通过x射线衍射图谱和x射线回摆曲线研究膜层的结晶程度和晶粒大小对膜层性能的影响,引入特性优化因子来综合评价膜层的性能
%K ito透明导电膜
%K 电磁屏蔽
%K 磁控溅射
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=28808