%0 Journal Article
%T sr和mg掺杂对pzt压电陶瓷工艺与性能的影响
%A 郝华
%J 武汉理工大学学报
%D 2004
%X ？对sr2+、mg2+掺杂后的pzt制备工艺和性能进行了比较研究。结果表明:掺锶pzt的烧结温度降低,在1150℃致密度最高,而掺镁pzt在相同温度下,致密度偏低。掺sr降低了pzt的矫顽场,易于极化;而掺镁pzt的电滞回线不对称,这可能是由于mg掺杂使pzt的自发极化具有各向异性造成的。
%K pzt
%K 掺杂
%K 压电常数
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=24198