%0 Journal Article
%T 磁控溅射氮化铝薄膜取向生长工艺研究
%A 张小玲
%A 孙晓冬
%A 张凯
%A 胡光
%A 胡靖华
%A 顾豪爽
%J 武汉理工大学学报
%D 2009
%X ？氮化铝薄膜取向性直接影响到薄膜的压电特性和声波速度，是薄膜体声波谐振器/滤波器工艺过程中最重要的环节之一。对aln薄膜材料的反应磁控溅射沉积工艺进行了研究，通过对aln薄膜的取向性分析及其与工艺条件的比较，优化了取向性aln薄膜的生长工艺条件，制备出了高取向和高致密的aln薄膜。
%K 氮化铝
%K 取向性
%K 反应磁控溅射
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=28972