%0 Journal Article %T 射频磁控溅射sio_2薄膜的制备与性能研究 %A 金桂 %J 武汉理工大学学报 %D 2006 %X ?采用磁控射频反应溅射法在单晶硅片上制备了二氧化硅薄膜。研究了制备工艺对薄膜沉积速率、表面形貌、折射率和电击穿场强的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随氧分压的增加先急剧减小,稍有增加后再缓慢减小,而随溅射功率的增加几乎呈线性增长;薄膜表面均匀,平均粗糙度分别为1.740nm(100w)和2.914nm(300w),有随溅射功率的增加而增加的趋势;薄膜的折射率随着溅射气氛中氧气含量的增加而增加,最后稳定于1.46不变;薄膜的电击穿场强随溅射功率的增加先缓慢增加,然后缓慢减小,通过800℃/100s的快速热处理,薄膜的电击穿场强明显升高。 %K 磁控射频反应溅射 %K 电击穿场强 %K 沉积速率 %K 表面形貌 %U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=25074