%0 Journal Article
%T si_3n_4-sio_2复合材料的制备及介电性能研究
%A 黄学辉
%J 武汉理工大学学报
%D 2006
%X ？以国产氮化硅、二氧化硅粉为原料,以氧化镁、氧化铝为烧结助剂,经干压成型后,在流动的高纯n2作为控制气氛的条件下,常压烧结出结构均匀,具有良好介电性能的si3n4-sio2复合材料。研究了原料、烧结温度、烧结助剂对材料介电性能的影响。结果表明:sio2、mgo、al2o3可促进坯体的烧结及致密,同时对材料的介电性能有较大的影响。当烧结温度低于1550℃时,随着烧结温度的升高,材料的介电常数趋于增大。当烧结温度高于1550℃时,随着温度的升高,材料中缺陷增加,相对密度降低,因此材料的介电常数趋于减小。
%K 氮化硅
%K 烧结助剂
%K 烧结温度
%K 介电性能
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=25311