%0 Journal Article
%T b掺杂sr_2mgsi_2o_7电子结构的理论计算
%A 姜洪义
%J 武汉理工大学学报
%D 2008
%X ？利用基于密度泛函理论的超软赝势方法(pwp),结合局域密度近似(lda)计算替位式掺杂b的sr2mgsi2o7的电子结构。预测了b掺杂sr2mgsi2o7的晶胞参数;对引入杂质前后电子结构的异同以及价键的性质进行了对比分析,结果表明杂质引入后,b所带正电荷为0.89,b―o键键长为1.4948,b―o键表现出共价键性质,能带结构中出现了新的定域能级,态密度出现了新峰,说明b掺杂可以延长余辉时间。
%K 第一性原理
%K sr2mgsi2o7
%K b掺杂
%K 电子结构
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=26227