%0 Journal Article
%T 掺杂元素离子半径对sno2薄膜的光学性能影响
%A 许本超
%A 王鑫
%A 温静
%A 刘世民
%J 武汉理工大学学报
%D 2010
%X ？sno2透明导电氧化物薄膜材料具有优越的光电性质，是当前玻璃功能材料研究领域和工业发展的热点之一。依据第一性原理，利用materialstudio软件中的castep模块，对掺杂过渡金属元素v、mn、cr后的sno2进行了几何优化，分析并讨论了掺杂后sno2的结构、电学和光学性能，并重点研究了掺杂元素的离子半径对其光学性能的影响。研究表明，掺杂后的体系结构比较稳定，并且掺杂v、cr后sno2表现为半金属性质，而掺杂mn后sno2表现为金属性质，这导致了掺杂mn后sno2光学性质有很大不同。由于掺杂v和cr后的sno2具有相同的电学性质，并且光学性质表现出相同的规律。在红外和可见光内，介电常数、反射率和吸收系数相应的峰值都发生了红移，且掺杂元素的离子半径越大，红移的程度就越大，相应的介电常数、反射率和吸收系数也越大。在能量为0～5ev的能量范围内，介电常数、反射率和吸收系数与半径成正比，而能量超过5ev时，半径的影响就很小。
%K 透明导电氧化物
%K 第一性原理
%K 离子半径
%K 光学性质
%U http://www.whlgdxxb.com.cn//qikan/Cpaper/zhaiyao.asp?bsid=30562