%0 Journal Article
%T 薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析
%A 张世林
%A 李建恒
%A 郭维廉
%A 齐海涛
%A 梁惠来
%J 天津大学学报(自然科学与工程技术版)
%P 109-113
%D 2006
%X 采用分子束外延方法生长了8nm基区的ingap-gaas双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用pspice模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．
%K 异质结晶体管
%K 负阻特性
%K 薄基区
%K 电路模拟
%U http://xbzrb.tjujournals.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200601023