%0 Journal Article
%T 添加剂mn和烧结温度对ba(zn1/3ta2/3)o3体系介电性能的影响
%A 吴顺华
%A 王爽
%A 王国庆
%A 王伟
%J 天津大学学报(自然科学与工程技术版)
%P 80-84
%D 2005
%X ？？？？？？用氧化物混合法制备ba(zn1/3ta2/3)o3(bzt)体系高频陶瓷材料,研究了添加剂mn的添加量和烧结温度对体系介电性能的影响.mn起助溶剂的作用,降低了bzt体系的烧结温度,并改善了体系的介电性能.实验表明,添加1.000mn的bzt陶瓷具有最优的介电性能,其主要工艺条件和性能参数是,烧结温度1550℃,在1mhz下ε为(25±5)tanδ不超过0.2×10-4,ac为(0±30)×10-6(℃)-1.
%K ba(zn1/3ta2/3)o3
%K 介电性能
%K mn添加剂
%K 烧结温度
%U http://xbzrb.tjujournals.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200501018