%0 Journal Article
%T 双岛结构多晶硅压力传感器削角补偿技术的研究
%A 曲宏伟
%A 张为
%A 姚素英
%A 毛赣如
%A 张维新
%A 喻白莹
%J 天津大学学报(自然科学与工程技术版)
%P 244-246
%D 2000
%X 详细讨论了双岛结构多晶硅压力传感器制作过程中的一种微机械加工技术.传感器采用的材料是双面抛光的(100)晶面硅片,制作中还利用了半导体集成电路平面工艺.研制这种传感器遇到的主要问题是硅各向异性腐蚀的凸角削角问题.为削角补偿设计了两种特殊形状的掩膜结构,在实验中获得了满意的效果,并且制出了性能优良的双岛结构多晶硅压力传感器
%K 削角补偿
%K 双岛结构
%K 多晶硅压力传感器
%U http://xbzrb.tjujournals.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200002026