%0 Journal Article
%T ar/o2对磁控溅射法制备bi1.5mgnb1.5o7薄膜结构与性能的影响
%A 高虹
%A 朱明康
%A 吕忆农
%A 刘云飞
%J 南京工业大学学报(自然科学版)
%P 1-6
%D 2014
%R 10.3969/j.issn.1671-7627.2014.03.001
%X 采用射频磁控溅射法在不同ar/o2流速比下制备铌镁酸铋(bi1.5mgnb1.5o7,bmn)薄膜。通过x线衍射仪(xrd)、原子力显微镜(afm)和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征。结果表明:经过700℃o2气氛下退火处理,bmn薄膜形成立方焦绿石单相结构。当ar/o2流速比为2:1时溅射薄膜的表面粗糙度较小,漏电流较低,具有高的介电常数、低的介电损耗(1mhz的测试频率下介电常数和介电损耗分别为158和0.4%),并且在0.8mv/cm的外加电场下介电可调率和优质因子分别为16.4%和36。
%K bi1.5mgnb1.5o7薄膜
%K 磁控溅射
%K 介电性能
%K ar/o2流速比
%K 调谐率
%U http://zrb.njutxb.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=20140301