%0 Journal Article
%T si_3n_4陶瓷材料的氧化行为及其氧化机理
%A 张其土
%J 南京工业大学学报(自然科学版)
%P 9-13
%D 1999
%X 采用氧化后再氧化的实验方法，通过对si3n4陶瓷材料氧化行为的研究和氧化动力学的分析，讨论了si3n4陶瓷材料的氧化机理。结果表明，si3n4陶瓷材料的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律：(δw)2＝kpt。提出了氧在氧化层中的向内扩散是si3n4氧化过程中的控制步骤；并认为烧结添加剂或杂质等对si3n4陶瓷材料氧化速度的影响，是通过改变氧化层的组成、结构，使氧在氧化层中的扩散速度发生变化而产生的。
%K 氮化硅
%K 动力学
%K 氧化
%U http://zrb.njutxb.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=199905003