%0 Journal Article
%T bi1/2na1/2tio3-batio3系无铅压电陶瓷制备工艺的优化及其结构分析
%A 杨晓冬
%A 吕忆农
%A 刘云飞
%A 徐明
%A 施书哲
%A 卢都友
%J 南京工业大学学报(自然科学版)
%P 71-75
%D 2006
%R 10.3969/j.issn.1671-7627.2006.03.016
%X 借助正交试验设计,通过对无铅压电陶瓷压电、介电性能的测试,研究了batio3含量、预烧温度、烧结温度及保温时间对(1-x)(bi1/2na1/2)tio3-xbatio3(简写为bnbt-100x)陶瓷性能的影响.研究结果表明制备bnbt系陶瓷的最优化工艺条件为:batio3摩尔分数x＝0.06、预烧温度850℃、烧结温度1130℃、保温时间2h.通过xrd分析了bnbt系压电陶瓷的晶体结构类型、晶胞参数及晶格畸变随着batio3摩尔分数的变化,确定了该体系的三方-四方的准同型相界在x=0.06～0.08之间.
%K bi1/2na1/2tio3-batio3
%K 正交试验设计
%K 准同型相界
%U http://zrb.njutxb.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=200603016