%0 Journal Article
%T h2s在清洁和羟基化tio2-b(100)表面吸附的密度泛函理论研究
%A 蔡璐
%A 郭晓静
%A 黎军
%A 陆小华
%J 南京工业大学学报(自然科学版)
%P 114-119
%D 2015
%R 10.3969/j.issn.1671-7627.2015.03.021
%X 采用密度泛函理论(dft)研究h2s分子在清洁和羟基化的tio2-b(100)表面的吸附行为,同时考察表面羟基对h2s吸附的影响。结果表明:h2s分子优先吸附在tio2-b(100)表面的五配位ti上(ti5c)。当tio2-b(100)表面被部分羟基化时,无论端羟基还是桥羟基都对h2s的吸附有增强作用,这是由于表面羟基与h2s之间形成了氢键;当tio2-b(100)表面完全被羟基覆盖时,h2s的吸附会受到削弱。
%K h2s
%K tio2
%K 吸附
%K 表面羟基
%K 密度泛函理论
%U http://zrb.njutxb.com/oa/DArticle.aspx?type=view&id=20150321