%0 Journal Article %T cu掺杂的nio的制备及其超级电容器性能 %A 俞燕青 %A 周益明 %A 戴跃华 %A 张黎 %A 吴悦 %A 唐亚文 %A 陆天虹 %A 沈涛 %J 南京师范大学学报(自然科学版) %P 57-60 %D 2007 %X 采用低热固相反应法合成掺杂cu的ni(oh)2,将其在300℃下热处理得到相应的nio.电化学测试表明∶掺杂量为n(ni)∶n(cu)=100∶0.25时,nio电极的比容量最高,为99-120f/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83-111f/g,因此掺杂cu有利于提高nio的电化学性能. %K nio %K 铜掺杂 %K 超级电容器 %K 低热固相反应 %U http://njsfdxzrb.paperonce.org/oa/darticle.aspx?type=view&id=200701011