%0 Journal Article
%T cu掺杂的nio的制备及其超级电容器性能
%A 俞燕青
%A 周益明
%A 戴跃华
%A 张黎
%A 吴悦
%A 唐亚文
%A 陆天虹
%A 沈涛
%J 南京师范大学学报(自然科学版)
%P 57-60
%D 2007
%X 采用低热固相反应法合成掺杂cu的ni(oh)2,将其在300℃下热处理得到相应的nio.电化学测试表明∶掺杂量为n(ni)∶n(cu)=100∶0.25时,nio电极的比容量最高,为99-120f/g,具有良好的充放电性能,而不掺杂的只有83-111f/g,因此掺杂cu有利于提高nio的电化学性能.
%K nio
%K 铜掺杂
%K 超级电容器
%K 低热固相反应
%U http://njsfdxzrb.paperonce.org/oa/darticle.aspx?type=view&id=200701011