%0 Journal Article
%T bi2o3掺杂对ag(nb0.8ta0.2)o3陶瓷结构和介电性能的影响
%A 肖谧？
%A 杨朝？
%A 钟小蓉？
%A 席芳芳？
%J 无机化学学报
%P 649-653
%D 2014
%X 本文研究了bi2o3掺杂对ag(nb0.8ta0.2)o3陶瓷的结构和介电性能的影响。x射线衍射(xrd)结果表明，bi2o3的掺杂可以使陶瓷中ag+被还原并析出，且银析出的量随bi2o3掺杂量的增加而不断增加，这可能源自于bi3+对ag+的取代。在一定范围内增大bi2o3掺杂量可提高ag(nb0.8ta0.2)o3陶瓷的室温介电常数，降低介电损耗，并使温度系数向负值方向移动。当bi2o3的掺杂量约为3.5wt%时，样品具有较大的介电常数(ε=672)和较小的介电损耗(tanδ=7.3×10-4)。
%K ant
%K bi2o3
%K 掺杂
%K ag析出
%K 高介电常数
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20140328&flag=1