%0 Journal Article
%T 超临界二氧化碳体系中正八面体氧化钴颗粒的生长及其表征
%A 杨俊松？
%A 陈乾旺？
%J 无机化学学报
%P 439-445
%D 2008
%X 研究了正八面体氧化钴颗粒在超临界二氧化碳体系中的合成过程.在密闭的不锈钢高压反应釜中,1.0g乙酸钴和12.0g干冰在450℃下,反应12h后合成粒径大约10μm的正八面体氧化钴颗粒.通过xrd、xps、tem、sem以及拉曼光谱的分析,氧化钴颗粒是由八个{111}面包裹着的正八面体单晶组成.条件实验显示,超临界二氧化碳体系是正八面体氧化钴颗粒合成的充分条件.其生长机理可能是:乙酸钴在超临界二氧化碳体系中的热分解;氧化钴的结晶和定向缓慢生长.在性能方面,初步研究了正八面体氧化钴颗粒在作为锂离子电池电极材料的应用.
%K 超临界二氧化碳
%K 正八面体氧化钴
%U http://www.wjhxxb.cn/wjhxxbcn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20080318&flag=1