%0 Journal Article
%T 退火条件对氧化钒薄膜电学性能的影响
%A 王利霞
%A 王海云
%A 严刚
%J 南京邮电大学学报(自然科学版)
%P 117-120
%D 2011
%X 文中采用射频反应溅射法制备氧化钒薄膜，并用三段式控温退火炉对薄膜进行快速升降温退火处理。文中重点就退火条件对氧化钒薄膜的电学性能的影响进行了研究。研究结果表明：退火时间和退火温度均对薄膜电学性能有较大影响，考虑到氧化钒薄膜热敏性能要求，兼顾微测辐射热计制备工艺(即微电子机械系统（简称mems）工艺)要求，退火时间约1~2小时，退火温度应控制在400℃~500℃之间。
%K 二氧化钒
%K 快速升降温退火
%K 电阻温度系数
%K 微测辐射热计
%U http://nyzr.njupt.edu.cn/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=201106022&flag=1