%0 Journal Article
%T 阿霉素在纳米钴修饰电极上的电化学行为及其应用
%A 龚兰新
%A 魏翠梅
%A 胡劲波
%A 李启隆
%J 药学学报
%P 303-307
%D 2008
%X 采用nabh4还原法制备了钴纳米粒，将其固定于氧化铟锡(ito)电极上，首次制成了纳米钴修饰电极(npco/ito)，并研究了阿霉素(adriamycin，adm)在npco/ito上的电化学性质。用循环伏安法(cv)、扫描电子显微镜(sem)和能量色散谱(eds)等对纳米钴修饰电极表面进行了表征。在纳米钴修饰电极上，阿霉素(adm)在0.01mol·l-1kh2po4-k2hpo4溶液(ph8.0)中，出现还原峰，峰电位为-0.67v(vsag/agcl),峰电流与adm浓度在1.0×10-8～2.0×10-6mol·l-1呈线性关系，检测限为5.0×10-9mol·l-1。循环伏安法研究表明，该体系属于具有吸附性的不可逆过程，npco/ito对adm的电化学还原过程产生较大的促进作用。
%U http://www.yxxb.com.cn:8081/aps/CN/abstract/abstract7155.shtml