%0 Journal Article
%T si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析
%A 李旭
%A 邹志强
%A 刘晓勇
%A 李威
%J 物理化学学报
%D 2014
%X 采用分子束外延法分别在650-920℃的si（110）和920℃的si（111）衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构，并主要分析了920℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与si衬底的取向关系.扫描隧道显微镜（stm）研究表明，920℃高温下，si（110）衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在，且其尺寸远大于650℃低温下外延生长的纳米线尺寸；si（111）衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物，其中三维岛具有金属特性且直径约300nm、高约155nm，薄膜厚度约2nm.电子背散射衍射研究表明920℃高温下si（110）衬底上生长的纳米线仅以β-fesi2的形式存在，且β-fesi2相与衬底之间存在唯一的取向关系：β-fesi2（101）//si（111）；β-fesi2[010]//si[110]；si（111）衬底上生长的三维岛由六方晶系的fe2si相组成，fe2si属于164空间群，晶胞常数为a=0.405nm，c=0.509nm；与衬底之间的取向关系为fe2si（001）∥si（111）和fe2si[120]//si[112].
%K 扫描隧道显微镜
%K 电子背散射衍射
%K 铁的硅化物
%K 纳米线
%K 三维岛
%K 结构
%K 取向关系
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract28782.shtml