%0 Journal Article
%T 磁控溅射中靶-基底距离与si共掺对zno:al薄膜性质的影响
%A 徐浩
%A 陆昉
%A 傅正文
%J 物理化学学报
%D 2011
%X 使用射频磁控溅射,在正方形石英衬底上沉积透明导电掺al的zno(azo)和si共掺azo(azo:si)薄膜.系统研究了靶-基底距离(dst)和si共掺对azo薄膜电学、光学性质的影响.电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于靶-基底距离,随着靶-基底距离的减少,载流子浓度和迁移率都有显著的增加,电导率也随之提高.在靶-基底距离为4.5cm处,得到最低电阻率4.94×10-4ω·cm,此时的载流子浓度和迁移率分别是3.75×1020cm-3和33.7cm2·v-1·s-1.x射线光电子能谱(xps)、x射线衍射(xrd)和边界散射模型被用于分析载流子浓度、迁移率和靶-基底距离的关系.透射谱显示,在可见-近红外范围内所有样品均有大于93%的平均透射率,同时随着靶基距离的减少,吸收边蓝移.azo:si表现出可与azo相比拟的高电导和高透射光学特性,但在热湿环境中却有着更好的电阻稳定性,这在实际使用中很有意义.
%K azo
%K azo:si
%K 靶-基底距离
%K 射频磁控溅射
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract27484.shtml