%0 Journal Article
%T va族元素对阳极铅(ii)氧化物膜半导体性质的影响(i)
%A 浦琮
%A 周伟舫
%J 物理化学学报
%D 1994
%X 用交流阻抗法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋金在4.5mol·l~(-1)h_2so_4溶液(20℃)中，以0.9v(vs．hg/hg_2so_4)极化2h而形成的阳极膜的半导体性质．根据mott-schottky图，此种膜为n型半导体．pb，pb-lat％as，pb-lat％sb和sb-lat％bi上膜的平带电位分别为-0.95，-1.1,-1.0，-1.1v(vs.hg/hg_2so_4)；相应的施主密度分别为0.82×10~(16)，2.6×10~(16)，1.2×10~(17)和0.71×10~(16)cm~(-3).
%K 阳极铅(ii)氧化物膜
%K 半导体
%K 电化学阻抗法
%K hauffe规则
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract24795.shtml