%0 Journal Article
%T 化学浴沉积方法制备硫化铟敏化太阳电池及其性能研究
%A 朱俊
%A 张耀红
%A 胡林华
%A 戴松元
%J 物理化学学报
%D 2013
%X 硫化铟是一种稳定、低毒性的半导体材料.本文采用低成本的化学浴沉积方法制备了硫化铟敏化太阳电池,x射线衍射(xrd)、光电子能谱(xps)和扫描电镜(sem)结果表明形成了硫化铟敏化的二氧化钛薄膜.化学浴沉积温度对所得硫化铟敏化薄膜的形貌有显著的影响,进而影响电池性能.温度太低时,化学浴沉积反应速率太低,只发生少量沉积;温度太高时,化学浴沉积反应速率较快,硫化铟来不及沉积到二氧化钛多孔薄膜内部.当温度在40℃时,硫化铟沉积均匀性最好,薄膜的光吸收性能最佳,电池的短路电流最大,另外,填充因子达到最佳,为65%,电池总体光电转换效率为0.32%.
%K 硫化铟
%K 敏化
%K 太阳电池
%K 化学浴沉积
%K 复合
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract28278.shtml