%0 Journal Article
%T moo3/tio2-al2o3对h2s吸附的xps研究
%A 罗胜成
%A 桂琳琳
%A 唐有祺
%J 物理化学学报
%D 1996
%X 应用xps对moo3／tio2－al2o3体系的moo3在tio2－al2o3载体上的存在状态及其对h2s的吸附和脱附性能进行了表征，结果表明：moo3在tio2－al2o3表面存在分散状态的不同，这导致了对h2s吸附性能的不同．在相同的条件下，吸附剂为0．15gmoo3／gtio2al2o3时具有最大载流量，且随吸附温度的升高载流量也增加，达饱和时s／mo原子比接近1，较好的氧化脱附温度为150－250℃．吸附可能是通过h2s中的s2-取代了moo3中的o2-进行的反应吸附.
%K moo3
%K tio2-al2o3
%K xps
%K h2s
%K 吸附
%U http://www.whxb.pku.edu.cn/CN/abstract/abstract26482.shtml